П р и м е р 1. Материал, чувствительный к ионизирующему излучению, представляет собой выращенный из расплава монокристалл хлорида калия, модифицированный ионами индия, в концентрации 0,1 мол. Материал облучают рентгеновским излучением с последующей выдержкой на свету. При этом получают скрытое изображение, образованное структурными дефектами с модифицирующими ионами. Полученное изображение считывают путем регистрации люминесценции структурных дефектов кристалла при длинах волн 530 580 нм, облучая материал в области полосы возбуждения этих дефектов с максимум при 314 нм (УФ-свет). Режимы облучения: энергия квантов 12 кэВ, доза 1 Р.
Разрешение полученного изображения составляет 200 лин/мм, возможно многократное считывание без ухудшения изображения. Изображение сохраняется 6 мес. П р и м е р 2. Материал, чувствительный к ионизирующему излучению, представляет собой прессованный поликристалл хлористого натрия, модифицированный ионами таллия, в концентрации 0,5 мол. Материал облучают в условиях, аналогичных указанным в примере 1, но считывают изображение при возбуждении структурных дефектов кристалла в области 320-350 нм.
Разрешение полученного изображения составляет 300 лин/мм, возможно многократное считывание без ухудшения изображения. Изображение сохраняется 6 мес
П р и м е р 3. Материал, чувствительный к ионизирующему излучению, представляет собой монокристалл фтористого лития, модифицированный ионами галлия, в концентрации 1 мол. Материал облучают в условиях, аналогичных указанным в примере 1, но считывают получаемое изображение при возбуждении дефектов кристалла в области 330 нм.
Разрешение полученного изображения составляет 300 лин/мм, возможно многократное считывание без ухудшения изображения. Изображение сохраняется 6 мес.
П р и м е р 4. Материал, чувствительный к ионизирующему излучению, представляет собой монокристалл фтористого лития, модифицированный ионами никеля, в концентрации 0,02 мол. Материал облучают в условиях, аналогичных указанным в примере 1, но доза облучения составляет 50 Р. Полученное изображение считывают путем регистрации люминесценции структурных дефектов кристалла при длине волны 390 нм и 580 нм, полоса возбуждения этих дефектов находится в области 240-270 нм.
Разрешение полученного изображения составляет 200 лин/мм, возможно многократное считывание без ухудшения изображения. Изображение сохраняется 1 г.
П р и м е р 5. Материал, чувствительный к ионизирующему излучению, представляет собой монокристалл хлористого натрия, модифицированный ионами никеля, в концентрации 0,25 мол. Материал подвергают воздействию излучения радия через свинцовый экран толщиной 0,25 мм. Доза изучения составляет 50 мР. Полученную дозу изучения регистрируют измерением люминесценции дефектов кристалла в условиях, аналогичных указанным в примере 4. При этом отношение сигнала к шуму равно двум.
Информация о накопленной дозе сохраняется в течение 3 мес.
П р и м е р 6. Материал, чувствительный к ионизирующему излучению, представляет собой монокристалл хлористого калия, модифицированного ионами палладия, в концентрации 0,5 мол. Материал облучают в условиях, аналогичных указанным в примере 1, но считывают получаемое изображение при возбуждении дефектов кристалла в области 250-330 нм.
Разрешение полученного изображения составляет 100 лин/мм, возможно многократное считывание без ухудшения изображения. Изображение сохраняется 3 мес.
Данный материал, чувствительный к ионизирующему излучению, найдет применение для дозиметрии и измерения пространственного распределения рентгеновского излучения, его визуализации, анализа и хранения, преимущественно в дефектоскопии, дифрактометрии, рентгеновской микроскопии.